Trajectoires électroniques¶
Le Simulateur de trajectoire calcule les trajectoires électroniques à l'intérieur d'un échantillon par la méthode de Monte-Carlo : les électrons incidents subissent une diffusion élastique et inélastique, et les distributions résultantes des électrons rétrodiffusés (direction, énergie, profondeur de pénétration) sont accumulées. Ces distributions alimentent également la pondération angulaire/énergétique/en profondeur utilisée par la 12. Simulation EBSD.
Raccourcis clavier et souris¶
Les trajectoires sont affichées dans une vue 3-D OpenGL. Elle utilise la navigation de vue standard de ReciPro, mais le déplacement est désactivé — utilisez les boutons de préréglage de vue pour passer aux orientations standard.
| Raccourci | Action |
|---|---|
| F1 | Ouvrir cette page du manuel en ligne |
| Glisser avec le bouton gauche | Faire pivoter le modèle |
| Glisser vers le haut/bas avec le bouton droit, ou molette de la souris | Zoom |
| CTRL + Double-clic droit | Basculer entre la projection orthographique / perspective |
→ Voir 21. Raccourcis clavier et souris pour une vue d'ensemble de toutes les fenêtres.
Conditions de calcul¶
Énergie du faisceau, nombre d'électrons incidents, échantillon/matériau et autres paramètres de Monte-Carlo (voir la capture d'écran d'ensemble ci-dessus).
Énergie du faisceau¶
Tension d'accélération du faisceau d'électrons incident (keV). Définit l'énergie cinétique utilisée à la fois pour les modèles de diffusion élastique (Mott) et inélastique (réponse diélectrique).
Nombre d'électrons incidents¶
Nombre d'électrons à simuler. Davantage d'électrons réduisent le bruit statistique mais augmentent linéairement le temps d'exécution.
Échantillon / matériau¶
Composition et densité de l'échantillon. Par défaut, le cristal actuellement sélectionné dans la fenêtre principale, mais cela peut être remplacé pour des études portant uniquement sur les trajectoires.
Inclinaison de l'échantillon¶
Angle d'inclinaison de l'échantillon. Utilisé lorsque les données de trajectoire alimentent le simulateur EBSD (typiquement 70° pour l'EBSD).
Modèle de section efficace¶
Le modèle de section efficace de diffusion élastique (Mott / Bethe / NIST). Les différents modèles font un compromis entre vitesse et précision aux grands angles d'inclinaison ou à proximité des seuils d'absorption.
Options du stéréonet¶
Options d'affichage de la distribution angulaire tracée sur la projection stéréographique (voir la capture d'écran d'ensemble ci-dessus).
Méthode de projection¶
Projection Wulff (équiangulaire) ou Schmidt (équi-aire). Schmidt est généralement préférée lors de la lecture de la densité statistique.
Hémisphère¶
Trace l'hémisphère supérieur (rétrodiffusé) ou inférieur (transmis).
Résolution / Échelle de couleurs¶
Largeur de classe de l'histogramme angulaire et carte de couleurs utilisée pour l'affichage de la densité.
Statistiques¶
Résumé de l'exécution.
- Rendement de rétrodiffusion — fraction des électrons incidents qui ressortent par la surface d'entrée.
- Libre parcours moyen — distance moyenne entre les événements de diffusion.
- Profondeur de pénétration moyenne — profondeur maximale moyenne atteinte par un électron avant qu'il ne ressorte ou soit absorbé.
- Temps écoulé / Débit — coût en temps réel de l'exécution.
Distribution directionnelle des BSE¶
Distribution angulaire des électrons rétrodiffusés (le centre du stéréonet correspond à la direction de la normale à la surface). Le contour jaune/orange (lorsqu'il est présent) marque la région sous-tendue par le détecteur EBSD.
Profils¶
Profils en profondeur et en énergie des électrons simulés.
Profil en profondeur¶
Histogramme de la profondeur de sortie finale (nm) des électrons rétrodiffusés. Utilisé par le simulateur EBSD pour pondérer l'intégration en profondeur du master pattern.
Profil énergétique¶
Histogramme de la perte d'énergie ΔE (keV) des électrons rétrodiffusés. Utilisé par le simulateur EBSD pour pondérer l'intégration en énergie.