Траектории электронов¶
Симулятор траекторий вычисляет траектории электронов внутри образца методом Монте-Карло: падающие электроны испытывают упругое и неупругое рассеяние, и накапливаются результирующие распределения обратно рассеянных электронов (направление, энергия, глубина проникновения). Эти распределения также служат основой для угловых/энергетических/глубинных весов, используемых в 12. Моделирование EBSD.
Сочетания клавиш и мыши¶
Траектории отображаются в трёхмерном виде OpenGL. Используется стандартная навигация по виду ReciPro, но панорамирование отключено — для перехода к стандартным ориентациям используйте кнопки предустановленных видов.
| Сочетание | Действие |
|---|---|
| F1 | Открыть эту страницу онлайн-руководства |
| Перетаскивание левой кнопкой | Повернуть модель |
| Перетаскивание правой кнопкой вверх/вниз или колесо мыши | Масштабирование |
| CTRL + двойной щелчок правой кнопкой | Переключение ортографической / перспективной проекции |
→ См. 21. Сочетания клавиш и мыши для обзора всех окон.
Условия расчёта¶
Энергия пучка, число падающих электронов, образец/материал и другие параметры Монте-Карло (см. обзорный снимок экрана выше).
Энергия пучка¶
Ускоряющее напряжение падающего электронного пучка (keV). Задаёт кинетическую энергию, используемую как для упругой (Mott), так и для неупругой (диэлектрический отклик) моделей рассеяния.
Число падающих электронов¶
Сколько электронов моделировать. Большее число электронов снижает статистический шум, но линейно увеличивает время расчёта.
Образец / материал¶
Состав и плотность образца. По умолчанию используется кристалл, выбранный в данный момент в главном окне, но это значение можно переопределить для исследований только по траекториям.
Наклон образца¶
Угол наклона образца. Используется, когда данные траекторий передаются в симулятор EBSD (обычно 70° для EBSD).
Модель сечения¶
Модель сечения упругого рассеяния (Mott / Bethe / NIST). Разные модели по-разному соотносят скорость и точность при больших углах наклона или вблизи краёв поглощения.
Параметры стереосети¶
Параметры отображения углового распределения, наносимого на стереографическую проекцию (см. обзорный снимок экрана выше).
Метод проекции¶
Проекция Вульфа (равноугольная) или Шмидта (равноплощадная). Шмидт обычно предпочтительнее при считывании статистической плотности.
Полусфера¶
Отображает верхнюю (обратно рассеянную) или нижнюю (прошедшую) полусферу.
Разрешение / Цветовая шкала¶
Размер ячейки углового гистограммы и цветовая карта, используемая для отображения плотности.
Статистика¶
Сводка по запуску.
- Выход обратного рассеяния — доля падающих электронов, выходящих через входную поверхность.
- Длина свободного пробега — среднее расстояние между событиями рассеяния.
- Средняя глубина проникновения — средняя максимальная глубина, достигаемая электроном до выхода или поглощения.
- Затраченное время / Производительность — реальные затраты времени на запуск.
Распределение направлений BSE¶
Угловое распределение обратно рассеянных электронов (центр стереосети соответствует направлению нормали к поверхности). Жёлтая/оранжевая обводка (если присутствует) отмечает область, охватываемую детектором EBSD.
Профили¶
Профили глубины и энергии моделируемых электронов.
Профиль глубины¶
Гистограмма конечной глубины выхода (nm) обратно рассеянных электронов. Используется симулятором EBSD для взвешивания интегрирования по глубине master pattern.
Профиль энергии¶
Гистограмма потерь энергии ΔE (keV) обратно рассеянных электронов. Используется симулятором EBSD для взвешивания интегрирования по энергии.