Traiettorie elettroniche¶
Il simulatore di traiettorie calcola le traiettorie degli elettroni all'interno di un campione con il metodo Monte-Carlo: gli elettroni incidenti subiscono diffusione elastica e anelastica, e le distribuzioni risultanti degli elettroni retrodiffusi (direzione, energia, profondità di penetrazione) vengono accumulate. Queste distribuzioni forniscono anche la ponderazione angolare/energetica/in profondità utilizzata dalla 12. Simulazione EBSD.
Scorciatoie da tastiera e mouse¶
Le traiettorie sono mostrate in una vista 3-D OpenGL. Essa utilizza la navigazione della vista standard di ReciPro, ma lo spostamento è disattivato — utilizzare i pulsanti delle viste predefinite per passare agli orientamenti standard.
| Scorciatoia | Azione |
|---|---|
| F1 | Apre questa pagina del manuale online |
| Trascinamento sinistro | Ruota il modello |
| Trascinamento destro su/giù, o rotellina del mouse | Zoom |
| CTRL + doppio clic destro | Commuta tra proiezione ortografica / prospettica |
→ Vedere 21. Scorciatoie da tastiera e mouse per una panoramica di tutte le finestre.
Condizioni di calcolo¶
Energia del fascio, numero di elettroni incidenti, campione/materiale e altri parametri Monte-Carlo (vedere lo screenshot panoramico sopra).
Energia del fascio¶
Tensione di accelerazione del fascio elettronico incidente (keV). Imposta l'energia cinetica utilizzata sia per i modelli di diffusione elastica (Mott) sia per quelli di diffusione anelastica (risposta dielettrica).
Numero di elettroni incidenti¶
Quanti elettroni simulare. Un numero maggiore di elettroni riduce il rumore statistico ma aumenta linearmente il tempo di esecuzione.
Campione / materiale¶
Composizione e densità del campione. Per impostazione predefinita corrisponde al cristallo attualmente selezionato nella finestra principale, ma può essere sostituito per studi delle sole traiettorie.
Inclinazione del campione¶
Angolo di inclinazione del campione. Utilizzato quando i dati delle traiettorie alimentano il simulatore EBSD (tipicamente 70° per l'EBSD).
Modello di sezione d'urto¶
Il modello della sezione d'urto di diffusione elastica (Mott / Bethe / NIST). Modelli diversi bilanciano velocità e accuratezza ad angoli di inclinazione elevati o in prossimità dei bordi di assorbimento.
Opzioni dello stereogramma¶
Opzioni di visualizzazione per la distribuzione angolare tracciata sulla proiezione stereografica (vedere lo screenshot panoramico sopra).
Metodo di proiezione¶
Proiezione Wulff (equiangolare) o Schmidt (equiareale). Schmidt è solitamente preferita quando si legge la densità statistica.
Emisfero¶
Traccia l'emisfero superiore (retrodiffuso) o inferiore (trasmesso).
Risoluzione / Scala dei colori¶
Ampiezza delle classi dell'istogramma angolare e mappa dei colori utilizzata per la visualizzazione della densità.
Statistiche¶
Riepilogo dell'esecuzione.
- Resa di retrodiffusione — frazione degli elettroni incidenti che escono attraverso la superficie di ingresso.
- Libero cammino medio — distanza media tra gli eventi di diffusione.
- Profondità di penetrazione media — profondità massima media raggiunta da un elettrone prima di uscire o essere assorbito.
- Tempo trascorso / Throughput — costo dell'esecuzione in tempo reale.
Distribuzione direzionale BSE¶
Distribuzione angolare degli elettroni retrodiffusi (il centro dello stereogramma corrisponde alla direzione della normale alla superficie). Il contorno giallo/arancione (quando presente) delimita la regione sottesa dal rivelatore EBSD.
Profili¶
Profili in profondità ed energia degli elettroni simulati.
Profilo in profondità¶
Istogramma della profondità finale di uscita (nm) degli elettroni retrodiffusi. Utilizzato dal simulatore EBSD per ponderare l'integrazione in profondità del master pattern.
Profilo energetico¶
Istogramma della perdita di energia ΔE (keV) degli elettroni retrodiffusi. Utilizzato dal simulatore EBSD per ponderare l'integrazione in energia.