Trajetórias eletrônicas¶
O Simulador de trajetórias calcula as trajetórias dos elétrons dentro de uma amostra pelo método de Monte Carlo: os elétrons incidentes sofrem espalhamento elástico e inelástico, e as distribuições resultantes dos elétrons retroespalhados (direção, energia, profundidade de penetração) são acumuladas. Essas distribuições também fornecem a ponderação angular/de energia/de profundidade usada pela 12. Simulação EBSD.
Atalhos de teclado e mouse¶
As trajetórias são exibidas em uma vista 3-D OpenGL. Ela usa a navegação de vista padrão do ReciPro, mas o deslocamento está desativado — use os botões de predefinição de vista para saltar para as orientações padrão.
| Atalho | Ação |
|---|---|
| F1 | Abrir esta página do manual on-line |
| Arrastar com o botão esquerdo | Girar o modelo |
| Arrastar com o botão direito para cima/baixo, ou roda do mouse | Zoom |
| CTRL + clique duplo com o botão direito | Alternar entre projeção ortográfica / perspectiva |
→ Consulte 21. Atalhos de teclado e mouse para uma visão geral de todas as janelas.
Condições de cálculo¶
Energia do feixe, número de elétrons incidentes, amostra/material e outros parâmetros de Monte Carlo (veja a captura de tela geral acima).
Energia do feixe¶
Tensão de aceleração do feixe de elétrons incidente (keV). Define a energia cinética usada tanto para os modelos de espalhamento elástico (Mott) quanto inelástico (resposta dielétrica).
Número de elétrons incidentes¶
Quantos elétrons simular. Mais elétrons reduzem o ruído estatístico, mas aumentam o tempo de execução linearmente.
Amostra / material¶
Composição e densidade da amostra. Por padrão, usa o cristal atualmente selecionado na janela principal, mas pode ser substituído para estudos apenas de trajetórias.
Inclinação da amostra¶
Ângulo de inclinação da amostra. Usado quando os dados de trajetória alimentam o simulador EBSD (tipicamente 70° para EBSD).
Modelo de seção de choque¶
O modelo de seção de choque de espalhamento elástico (Mott / Bethe / NIST). Modelos diferentes equilibram velocidade e precisão em ângulos de inclinação grandes ou próximo de bordas de absorção.
Opções da estereonete¶
Opções de exibição para a distribuição angular desenhada na projeção estereográfica (veja a captura de tela geral acima).
Método de projeção¶
Projeção de Wulff (de ângulo igual) ou de Schmidt (de área igual). Schmidt costuma ser preferida ao ler a densidade estatística.
Hemisfério¶
Plota o hemisfério superior (retroespalhado) ou inferior (transmitido).
Resolução / Escala de cores¶
Largura de classe do histograma angular e o mapa de cores usado para a exibição de densidade.
Estatísticas¶
Resumo da execução.
- Rendimento de retroespalhamento — fração dos elétrons incidentes que saem pela superfície de entrada.
- Livre caminho médio — distância média entre eventos de espalhamento.
- Profundidade média de penetração — profundidade máxima média alcançada por um elétron antes de sair ou ser absorvido.
- Tempo decorrido / Taxa de processamento — custo de execução em tempo real.
Distribuição de direção dos BSE¶
Distribuição angular dos elétrons retroespalhados (o centro da estereonete corresponde à direção normal à superfície). O contorno amarelo/laranja (quando presente) marca a região subtendida pelo detector EBSD.
Perfis¶
Perfis de profundidade e de energia dos elétrons simulados.
Perfil de profundidade¶
Histograma da profundidade final de saída (nm) dos elétrons retroespalhados. Usado pelo simulador EBSD para ponderar a integração em profundidade do master pattern.
Perfil de energia¶
Histograma da perda de energia ΔE (keV) dos elétrons retroespalhados. Usado pelo simulador EBSD para ponderar a integração em energia.