电子轨迹¶
轨迹模拟器 使用 蒙特卡罗法 计算电子在样品内部的轨迹：入射电子经历弹性和非弹性散射，由此得到的背散射电子分布（方向、能量、穿透深度）被累加统计。这些分布还为 12. EBSD 模拟 所用的方位/能量/深度加权提供数据。
键盘和鼠标快捷键¶
轨迹显示在 3D OpenGL 视图中。它采用 ReciPro 的标准 视图导航，但 平移已被禁用 — 请使用视图预设按钮跳转到标准取向。
| 快捷键 | 操作 |
|---|---|
| F1 | 打开本页在线手册 |
| 左键拖动 | 旋转模型 |
| 右键上下拖动，或鼠标滚轮 | 缩放 |
| CTRL + 右键双击 | 切换正射/透视投影 |
→ 全部窗口一览请参见 21. 键盘和鼠标快捷键。
计算条件¶
入射束能量、入射电子数、样品/材料以及其他蒙特卡罗参数（参见上方的概览截图）。
束流能量¶
入射电子束的加速电压 (keV)。设定弹性 (Mott) 与非弹性（介电响应）散射模型所共用的动能。
入射电子数¶
要模拟的电子数量。电子越多，统计噪声越小，但运行时间随之线性增加。
样品 / 材料¶
样品的组成和密度。默认采用主窗口中当前选择的晶体，但在仅进行轨迹研究时可以覆盖。
样品倾斜¶
样品倾斜角。当轨迹数据馈入 EBSD 模拟器 时使用（EBSD 通常为 70°）。
截面模型¶
弹性散射截面模型 (Mott / Bethe / NIST)。不同的模型在大倾斜角或接近吸收边时，在速度与精度之间作不同的权衡。
极射赤平投影选项¶
绘制在极射赤平投影上的角度分布的显示选项（参见上方的概览截图）。
投影法¶
Wulff（等角）或 Schmidt（等积）投影。读取统计密度时通常优先选用 Schmidt。
半球¶
绘制上半球（背散射侧）或下半球（透射侧）。
分辨率 / 色阶¶
角度直方图的分箱大小，以及用于密度显示的色彩映射。
统计信息¶
运行结果的摘要。
- 背散射产额 — 经入射面射出的入射电子所占比例。
- 平均自由程 — 散射事件之间的平均距离。
- 平均穿透深度 — 电子在射出或被吸收之前所达到的平均最大深度。
- 耗时 / 吞吐量 — 运行的实际时钟开销。
BSE 方向分布¶
背散射电子的角度分布（极射赤平投影中心对应表面法线方向）。黄色/橙色轮廓（若存在）标示 EBSD 探测器所张成的区域。
剖面图¶
模拟电子的深度和能量剖面图。
深度剖面图¶
背散射电子最终射出深度 (nm) 的直方图。EBSD 模拟器用它来对 master pattern 的深度积分进行加权。
能量剖面图¶
背散射电子能量损失 ΔE (keV) 的直方图。EBSD 模拟器用它来对能量积分进行加权。