电子轨迹¶

轨迹模拟器（蒙特卡罗法） 使用 蒙特卡罗法 计算电子在样品内部的轨迹：入射电子经历弹性和非弹性散射，由此累加统计背散射电子 (BSE) 的各种分布——射出方向、逸出时的能量、穿透深度和横向扩展。这些分布还为 12. EBSD 模拟所用的角度/能量/深度加权提供数据。

窗口分为三列：左侧为 3D 轨迹视图，中间为统计和 BSE 方向分布 极射赤平投影，右侧为三个 直方图。样品的组成和密度取自主窗口中选中的晶体；此处只需设置束流能量、样品倾转和轨迹数。

键盘和鼠标快捷键¶

轨迹显示在 3D OpenGL 视图中。它采用 ReciPro 的标准视图导航，但 平移已被禁用 — 请使用视图预设按钮跳转到标准取向。

→ 全部窗口一览请参见 21. 键盘和鼠标快捷键。

窗口顶部的控件用于设置一次运行：

模拟轨迹 ：开始蒙特卡罗计算。底部状态栏分别显示轨迹计算、图表绘制和 3D 渲染所耗费的时间。
Number of trajectories ：要追踪的入射电子数。电子越多，下述各分布的统计噪声越小，但运行时间随之线性增加。
样品倾转 (°)：样品表面绕 X 轴的倾转角。垂直入射时保持为 0；若要重现 EBSD 模拟器的几何配置，请使用 −70°，大倾转角可提高背散射产额。
能量 (keV) / 波长 / Unit ：入射束的加速电压，以及与之联动的经相对论修正的电子波长。该能量设定了弹性 (NIST Mott) 和非弹性（阻止本领 / IMFP）两种模型所用的动能。

散射模型本身不可由用户选择：弹性散射截面取自内置的 NIST Mott 表（超出其范围时退回到屏蔽 Rutherford 截面），阻止本领采用修正的 Jablonski (2008) 形式。实际使用的模型显示在统计中各数值的旁边。这些模型的具体内容请参见衰减与输运。

红色轨迹表示在样品内被吸收的电子，橙色轨迹表示作为背散射电子逸出的电子。同心辅助圆以 nm（或 µm）标注，+X、+Y、+Z (=beam) 表示各坐标轴。

当前束流能量下的各数值，括号中注明了得出各数值所用的模型。

背散射电子的角度分布，绘制在以表面法线方向为中心的极射赤平投影上。

背散射电子的三种分布，均归一化为单位面积。

背散射电子 离开样品时仍携带的能量 (keV) 的直方图——而不是其能量损失。EBSD 模拟器用它来对 master pattern 的能量积分进行加权。

每个背散射电子在逸出之前横向（平行于表面，nm）移动距离的直方图。它表示相互作用体积的横向尺寸，因而也就是 BSE 或 EBSD 测量固有的空间分辨率极限。

每个背散射电子在逸出之前 垂直于表面 所达到的最大深度 (nm) 的直方图。EBSD 模拟器用它来对 master pattern 的深度积分进行加权。