電子軌跡¶

軌跡模擬器（蒙地卡羅法） 以蒙地卡羅法計算試樣內部的電子軌跡：入射電子會發生彈性與非彈性散射，並累積由此產生的背向散射電子（BSE）分布——方向、逃逸時的能量、穿透深度與側向擴展。這些分布也提供 12. EBSD 模擬所使用的角度／能量／深度加權。

視窗分為三欄：左側為 3-D 軌跡檢視，中間為統計與 BSE 方向分佈 極網，右側為三個 直方圖。試樣的組成與密度取自主視窗中所選的晶體；此處只需設定電子束能量、試樣傾角與軌跡數量。

鍵盤與滑鼠快速鍵¶

軌跡顯示於 3-D OpenGL 檢視中。它使用 ReciPro 標準的檢視導覽，但平移已停用 — 請使用檢視預設按鈕跳至標準方位。

→ 請參閱 21. 鍵盤與滑鼠快速鍵，一覽所有視窗。

視窗上方的控制項用來設定計算：

模擬軌跡 ：開始蒙地卡羅計算。下方的狀態列會分別顯示軌跡計算、圖表繪製與 3-D 繪製所花費的時間。
Number of trajectories ：要追蹤的入射電子數量。電子數越多，下列各分布的統計雜訊越低，但執行時間會隨之線性增加。
試樣傾角 (°) ：試樣表面繞 X 軸的傾斜角。垂直入射時保持為 0；若要重現 EBSD 模擬器的幾何配置，請設為 −70°，大傾角可提高背向散射產率。
Energy (keV) / Wavelength / Unit ：入射電子束的加速電壓，以及與之連動、經相對論修正的電子波長。此能量即彈性（NIST Mott）與非彈性（阻止本領／IMFP）兩種模型所使用的動能。

散射模型本身無法由使用者選擇：彈性散射截面取自內建的 NIST Mott 表（超出其適用範圍時退回屏蔽 Rutherford 模型），阻止本領則採用修正的 Jablonski (2008) 形式。實際使用的模型會標示在統計中各數值的旁邊。這些模型的內容請參閱衰減與傳輸。

紅色軌跡為在試樣內被吸收的電子，橙色軌跡為以背向散射電子形式逃逸的電子。同心輔助圓以 nm（或 µm）標示，+X、+Y、+Z (=beam) 標示座標軸。

目前電子束能量下的數值，括號內標示產生各數值的模型。

背向散射電子的角度分布，繪製於以表面法線方向為中心的極網上。

背向散射電子的三種分布，皆已正規化為單位面積。

背向散射電子離開試樣時仍保有的能量（keV）的直方圖——而非其能量損失。EBSD 模擬器用此對 master pattern 的能量積分加權。

各背向散射電子在逃逸前側向（平行於表面，nm）移動距離的直方圖。它代表交互作用體積的側向尺寸，因此也是 BSE 或 EBSD 量測本質上的空間解析度極限。

各背向散射電子在逃逸前於垂直表面方向所達到的最大深度（nm）的直方圖。EBSD 模擬器用此對 master pattern 的深度積分加權。