電子軌跡¶
Trajectory Simulator 以蒙地卡羅法計算試樣內部的電子軌跡：入射電子會發生彈性與非彈性散射，並累積由此產生的背向散射電子分布（方向、能量、穿透深度）。這些分布也提供 12. EBSD 模擬所使用的角度／能量／深度加權。
鍵盤與滑鼠快速鍵¶
軌跡顯示於 3-D OpenGL 檢視中。它使用 ReciPro 標準的檢視導覽，但平移已停用 — 請使用檢視預設按鈕跳至標準方位。
| 快速鍵 | 動作 |
|---|---|
| F1 | 開啟線上手冊的本頁 |
| 左鍵拖曳 | 旋轉模型 |
| 右鍵向上／向下拖曳，或滑鼠滾輪 | 縮放 |
| CTRL + 右鍵雙擊 | 切換正交／透視投影 |
→ 請參閱 21. 鍵盤與滑鼠快速鍵，一覽所有視窗。
計算條件¶
電子束能量、入射電子數、試樣／材料，以及其他蒙地卡羅參數（請見上方的概覽截圖）。
電子束能量¶
入射電子束的加速電壓（keV）。設定彈性（Mott）與非彈性（介電響應）散射模型所使用的動能。
入射電子數¶
要模擬的電子數量。電子數越多可降低統計雜訊，但會使執行時間呈線性增加。
試樣／材料¶
試樣的組成與密度。預設為主視窗中目前所選的晶體，但可針對純軌跡研究加以覆寫。
試樣傾斜¶
試樣傾斜角。當軌跡資料提供給 EBSD 模擬器時使用（EBSD 通常為 70°）。
截面模型¶
彈性散射截面模型（Mott / Bethe / NIST）。不同模型在大傾斜角或接近吸收邊時，以速度換取準確度。
極網選項¶
繪製於立體投影上之角度分布的顯示選項（請見上方的概覽截圖）。
投影方法¶
Wulff（等角）或 Schmidt（等面積）投影。讀取統計密度時通常偏好使用 Schmidt。
半球¶
繪製上方（背向散射）或下方（穿透）半球。
解析度／色階¶
角度直方圖的分組寬度，以及密度顯示所使用的色彩對應。
統計¶
執行結果的摘要。
- 背向散射產率 — 由入射面射出的入射電子比例。
- 平均自由程 — 散射事件之間的平均距離。
- 平均穿透深度 — 電子在射出或被吸收之前所達到的平均最大深度。
- 經過時間／處理量 — 該次執行的實際時間成本。
BSE 方向分布¶
背向散射電子的角度分布（極網中心對應於表面法線方向）。黃色／橙色輪廓（若存在）標示 EBSD 偵測器所涵蓋的區域。
剖面圖¶
所模擬電子的深度與能量剖面圖。
深度剖面圖¶
背向散射電子最終射出深度（nm）的直方圖。EBSD 模擬器用此對 master pattern 的深度積分加權。
能量剖面圖¶
背向散射電子能量損失 ΔE（keV）的直方圖。EBSD 模擬器用此對能量積分加權。