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STEM シミュレーション

STEM (Scanning Transmission Electron Microscopy) シミュレーションは、走査透過電子顕微鏡像を計算します。


概要

STEM像は、収束した電子ビームを試料上で走査し、各位置での透過・散乱電子を環状検出器で検出することで形成されます。ReciProではブロッホ波法を用いてSTEM像をシミュレーションします。


計算手法

  1. 各走査位置で、収束ビームの各入射方向に対してブロッホ波法で回折強度を計算
  2. 検出器の角度範囲内の散乱強度を積算
  3. 弾性散乱と熱散漫散乱 (TDS) の両方を計算可能

計算時間に影響する要因

STEMシミュレーションは計算コストが高いため、以下のパラメータを適切に設定してください。

要因 影響
収束角 大きいほどCBEDディスクの重なりが増え、計算コストが増大
ブロッホ波の数 固有値問題のコストは波数の3乗に比例
角度分解能 細かいほど正確だが計算時間は二乗で増大
画素数 画像のピクセル数に線形に比例

検出器の種類

検出器 角度範囲 主な寄与 像のコントラスト
BF (明視野) 0 ~ 収束角 弾性散乱 位相コントラスト
ABF (環状明視野) 収束角の内側 弾性散乱 軽元素に感度が高い
LAADF (低角環状暗視野) 収束角のやや外側 弾性 + TDS ひずみに敏感
HAADF (高角環状暗視野) 収束角の十分外側 TDS (非弾性) Z-コントラスト(原子番号の約2乗に比例)

STEM固有パラメータ

パラメータ 説明 典型値
Convergence angle 収束ビーム半角 (mrad) 15–25 mrad
Detector inner angle 環状検出器の内角 (mrad) BF: 0, HAADF: 50–80
Detector outer angle 環状検出器の外角 (mrad) BF: 15, HAADF: 200
Effective source size 有効光源サイズの半値幅 (pm) 50–100 pm
Slice thickness TDS計算用のスライス厚さ (nm)
Angular resolution 収束ビームの角度ステップ (mrad) 1–3 mrad

表示モード

モード 説明
Elastic only 弾性散乱のみの像
TDS only 熱散漫散乱のみの像
Both 弾性 + TDS の合計像

温度因子の重要性

重要: HAADF-STEM像のシミュレーションには、原子の等方性温度因子 (Debye-Waller factor) をゼロ以外に設定する必要があります。温度因子が不明な場合は B = 0.5 Ų に設定してください。

温度因子がゼロの場合、TDS強度がゼロとなり、HAADF像が正しく計算されません。


Dr. Probe との比較

ReciProのSTEMシミュレーション結果は、広く使われている Dr. Probe GUI (v.1.10) と良好に一致することが確認されています。下図は、BF・ABF・LAADF・HAADF 検出器について厚さシリーズ(2.96~60.05 nm)で両者を比較したものです(左: 収差なし、右: Cs = 0.2 mm, デフォーカス = −25.9 nm)。すべての検出器・厚さで両者はよく一致します。

STEM シミュレーション比較: Dr. Probe vs ReciPro

より詳細な比較は PDF で参照できます: Comparison of STEM simulations by Dr. Probe GUI (v.1.10) and ReciPro (v.4.854)


関連項目