荧光¶
当 X 射线的 光电吸收 将一个内壳层电子击出后(参见 衰减与输运),会在深能级上留下一个空位。原子通过将一个外层电子落入该空穴而弛豫,所释放的能量要么以 特征 X 射线光子(荧光)的形式发出,要么通过击出第二个电子(俄歇过程)而释放。荧光 选项卡预览特征光子通道;它仅适用于 X 射线,对电子束和中子束则隐藏。
特征线¶
由于壳层能量是尖锐确定的,所发射的光子能量是 两个结合能之差,
因此对该元素是特征性的:
- K 线 — \(K\) 壳层的空位由 \(L\)(\(K\alpha\))或 \(M\)(\(K\beta\))填充。
- L 线 — \(L\) 壳层的空位由 \(M\)/\(N\)(\(L\alpha\), \(L\beta\), …)填充。
只有偶极选择定则所允许的跃迁才会出现,这就是为什么谱是几条离散的线(K\(\alpha_1\), K\(\alpha_2\), K\(\beta_1\), L\(\alpha_1\), …)而不是连续谱。它们的能量遵循 莫塞莱定律;在屏蔽类氢近似下,
其中 \(\sigma\) 是屏蔽常数。对于 \(K\alpha\)(\(n_2{=}2\to n_1{=}1\), \(\sigma\approx1\)),这化简为 \(E_{K\alpha}\approx R_\infty hc\,(Z-1)^2\left(1-\tfrac14\right)\)。这种单调的、由电子数驱动的 \(Z\) 依赖性,是元素鉴定(EDX/WDX)的基础。
荧光产额¶
辐射弛豫与俄歇弛豫之间的竞争由 荧光产额 描述
即某个给定空位通过发射光子而非俄歇电子衰变的概率(\(\Gamma_r\)、\(\Gamma_a\) 分别为辐射跃迁率和俄歇跃迁率)。
- 对于 轻元素,俄歇通道占主导,因此 \(\omega_K\) 很小(对 C、N、O 远低于 1%)——轻元素荧光很弱,这就是它们难以用 EDX 检测的原因。
- 对于 重元素,辐射通道胜出,\(\omega_K \to\) 接近 1。
互补的 俄歇产额 \(a\) 承担其余部分,因此
而小的 \(\omega\) 意味着大多数空位通过俄歇发射而衰变。在辐射通道内,某条特定线 \(\ell\)(例如 \(K\alpha_1\) 相对于 \(K\beta_1\))所占的份额即其 分支比
也就是壳层 \(X\) 内的相对辐射跃迁率。ReciPro 列出每种元素的 \(\omega_K\) 以及谱中最强的线。
该预览模拟什么、不模拟什么¶
EDX 发射线 图将每条特征线绘制为位于其光子能量处的竖线,高度正比于
这是一个 定性的 预览,展示这些线落在何处以及它们大致的相对高度。它有意省略了真实、定量的 EDX/XRF 谱所需要的那些因素:
- 入射能量是否确实 高于 产生该空位所需的 吸收边 —— 即使一条线在当前能量下无法被激发,它仍会被绘制出来;
- 激发截面(入射束在所选能量下产生空位的效率);
- 所发射光子在样品内部的 自吸收(基体效应);
- 探测器效率 与分辨率。
因此该预览用于线的鉴定和相对位置推理,而非用于定量成分分析。
从预览到定量¶
真实的 EDX/XRF 分析通过 基体(ZAF)校正 将线强度换算为浓度 —— 针对原子序数(\(Z\))、所发射光子在离开样品途中的 吸收(\(A\))以及由其他线激发的二次 荧光(\(F\))—— 并结合上文提到的激发截面与探测器响应。其完整形式下,来自元素 \(i\) 的线 \(\ell\) 的测量强度为
其中 \(C_i\) 为浓度,\(\Phi_0\) 为入射通量,\(\sigma_\text{ion}\) 为电离截面,\(\omega\) 为荧光产额,\(p_{\ell\mid X}\) 为分支比,\(\epsilon\) 为探测器效率,\(A_\text{matrix}\) 为吸收/二次荧光校正。ReciPro 的预览只保留 \(C_i\,p_{\ell\mid X}\,\omega\) 这一部分(原子分数 × 辐射跃迁率 × 产额),舍弃其余,因此它给出这些线的位置及其固有的相对强度,以便能在测得的谱中将它们识别出来。
另请参阅¶
- 衰减与输运 — 光电吸收,即产生空位的吸收边。
- 原子散射因子 — 同样是这些束缚电子,从散射的角度来看。
- 3. 射束相互作用 → 荧光选项卡
