位能模擬¶
位能模擬會計算並顯示晶體位能的二維分布。其中不套用任何影像傳遞效果（透鏡像差、偵測器）：它將投影後的晶體位能本身視覺化。
本頁說明當 Image mode = Potential 時，右側出現的所有設定。關於結果顯示、亮度調整及左側的其他控制項，請參閱總覽頁面。
總覽¶
晶體內部的電子會被晶體位能散射。其分布是所有繞射與成像現象的基礎，也是理解晶體結構的關鍵資訊。由於此模式既不包含透鏡像差，也不包含與厚度相關的動力學效應，因此非常適合用來檢視結構本身。
在位能模式下，試樣厚度、強度正規化以及影像模式（single / serial）面板不會顯示。 在 TEM 條件中，只有加速電壓是作用中的。
TEM 條件¶
- Acc. voltage (kV) — 加速電壓。它決定電子波長，並用於計算位能的傅立葉係數 \(U_g\)。
Defocus、Cs、Cc、β、ΔE 與 PCTF 在位能模式下為非作用狀態（不套用任何成像光學），並顯示為灰色。
位能選項¶
選擇要顯示哪一種位能以及如何顯示。
目標位能¶
| 類型 | 說明 |
|---|---|
| \(U_g\) — 彈性散射位能 | 負責彈性散射的（靜電）晶體位能。代表散射強度 |
| \(U'_g\) — 吸收位能 | 由熱漫散射（TDS）產生的虛部（吸收）位能。代表彈性通道的損失 |
\(U_g\) 與 \(U'_g\) 可同時顯示（每勾選一個就會增加一個顯示窗格）。
顯示方法¶
| 模式 | 選項 |
|---|---|
| 大小與相位 | 兩者 / 僅大小 / 僅相位（相位以色環呈現，下方並顯示相位刻度） |
| 實部與虛部 | 兩者 / 僅實部 / 僅虛部 |
影像屬性¶
- Size (W×H) — 產生影像的像素尺寸（預設 512×512）。
- Resolution — 取樣解析度（pm/px）。
繞射波¶
- Max Bloch waves — 納入位能傅立葉合成中的布洛赫波（傅立葉係數）的最大數目（預設 80）。數值越大，納入的空間頻率越高，並能重現位能更細緻的細節。
影像調整（左側）¶
亮度（Min / Max）、色階及晶胞點陣疊加是在左側的 Adjust 與 Display 中設定（請參閱總覽頁面）。